Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor d'efecte de camp en què la modulació de la conductivitat del canal té lloc a partir de la tensió aplicada a la porta que forma un contacte Schottky (metall-semiconductor) amb el semiconductor. Se sol utilitzar en amplificadors d'alta freqüència (microones) i el semiconductor és [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor d'efecte de camp que utilitza ^heterojuncions^ per a crear un ^pou quàntic^. Els electrons del canal estan confinats en aquest pou, on presenten una ^mobilitat^ extremament alta, la qual cosa permet d'amplificar senyals de molt alta freqüència. [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor d'efecte de camp en què el corrent de drenador a sortidor circula a través d'un canal que presenta una resistència controlada per la tensió que polaritza en inversa la junció entre la regió de porta i el canal. [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor d'efecte de camp en què el terminal de porta està aïllat del canal mitjançant un dielèctric. Un cas particular és el ^transistor MOS^, en què l'aïllant que separa la porta del semiconductor és òxid de silici. [...]
Transistor d'efecte de camp en què la porta és un elèctrode de referència immers en la solució que conté l'anàlit, la qual està en contacte amb el transistor, però separada del substrat per una membrana selectiva d'ions i un material que no condueix l'electricitat. [...]
Àrea temàticaTecnologies de la informació i la comunicació
Transistor d'efecte de camp en què l'electròlit, que conté ions, substitueix la porta de metall o de polisicili del ^transistor MOS^. S'utilitza en electromedicina. És el dispositiu més representatiu de la família dels transistors d'efecte de camp químics. [...]
